SelixGroup Ltd. - Дистрибьюция Электронных Компонентов, КОМПАНИЯ ЗАКРЫТА в 2015 году!  
Транзистор КТ818Г

ВНИМАНИЕ!!! Компания «Селикс Групп» закрыта в 2015 году.

Данный сайт продолжает работу лишь как справочник по техническим характеристикам электронных компонентов. Попадающиеся цены и складские количества – НЕДЕЙСТВИТЕЛЬНЫ, в связи с закрытием компании. 



Меню сайта

Форма входа

Поиск

Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0



Полупроводники для Российской Электроники
Discrete Semiconductor Products & Integrated Circuits
Полупроводниковые Электронные Компоненты
Транзистор КТ818Г
Поиск по сайту:

 - Назад в Каталог Транзисторов    
Транзистор КТ818Г 100В 10А 60Вт 3Мгц TO220
Заказ - 8(812)740-73-71, rum@selixgroup.ru
Параметры Транзистора КТ818Г
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 90 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 12;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1000 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,27 Ом



КТ818Г
HI-TECH НОВОСТИ - Самые тонкие в отрасли MOSFET-транзисторы от Sanyo
     Компания Sanyo Electric готовится к выпуску уникальных полевых MOSFET-транзисторов, которые будут отличаться самыми малыми габаритными размерами в отрасли. По сравнению с продуктами предыдущего поколения, новинки обладают на 66% меньшей площадью и на 56% меньшей толщиной.
     Для уменьшения габаритных размеров своих транзисторов Sanyo применила так называемую "up-drain” структуру, которая позволяет разместить исток, сток и затвор на одной стороне кристалла, а сам чип помещается в CSP-упаковку (Chip Scale Package, корпус с размерами кристалла). В транзисторах предыдущего поколения сток размещается на обратной стороне кристалла. Другие производители также представили свои решения с "up-drain” структурой.

Транзистор КТ818Г - купить в СПб

УВАЖАЕМЫЕ ПОСЕТИТЕЛИ САЙТА!   ОБРАЩАЕМ ВАШЕ ВНИМАНИЕ:
1. Некоторые Материалы, используемые на сайте, были взяты из открытых источников.
             ВАЖНО!
Если Вы считаете, что мы нарушили Ваши Авторские Права (или иные права), свяжитесь с нами посредством электронной почты или по телефону, и мы обязательно это исправим.
Attention! If you think that we are violating your COPYRIGHT, please contact us and we will correct it.
    2. Представленная на нашем сайте техническая информация по предлагаемым электронным компонентам, реле и микросхемам носит ориентировочный рекламный характер и не является публичной офертой. Описание и изображения могут отличаться от спецификации производителя.
3. Данные на нашем сайте не предназначены для использования в конструкторской документации!
4. Указанные цены и складские количества могут являться условными или устаревшими. Для получения информации запрашивайте менеджеров Компании!




Микросхемы,
Микроконтроллеры, Процессоры


SelixGroup Ltd.
- Оптовые поставки электронных компонентов, микросхем, реле, оптоэлектроники, а также инновационных микропроцессорных релейных устройств и приборов программируемой силовой электроники импортного и Российского производства.

   РЕЛЕ,  
Релейная
Автоматика

Светодиоды,
Индикаторы,
LED-Лампы





 
Приветствую Вас, Гость · RSS 20.10.2017, 20:44

Copyright MyCorp © 2017
Конструктор сайтов - uCoz